设备频率可根据用户所加工工件要求,一般为15-35KHz,,速度比可控硅中频快1/3。
采用IGBT器件,不要老式可控硅,效率比可控硅中频提高30%-40%,节电30%-40%。
本设备为串联谐振电路拓扑,感应器为隔离悬浮电压,安全;而可控硅中频为并联谐振,感应器为直接电压500V,如绝缘破损受潮,则有不安全之虑。
本设备采用PWM控制,占功比调功,进网侧不用电抗器,不用前级调功可控硅。对电网和其他设备影响甚微;而可控硅中频,用电抗器平波,前级可控硅调功,谐波严重, 对电网和同网设备有较严重谐波干扰。
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