系列 :NAND Flash Memory
* :Samsung/三星
型号 :K9WAG08U1B-PIB0
类型 :存储器
存储容量 :2G x 8 Bit
功率 :2.7V-3.6V
针脚数 :48
用途 :仪器
封装 :TSOP48
批号 :2013+
特色服务 :可完全读写跟擦除
应用领域 :3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信
产品说明 :2G x 8 Bit NAND Flash Memory
货号 :1340+
是否跨境货源 :否
包装 :拖盘装960PCS/包
产品规格图:
产品PDF资料联系店主提供。
2G x 8 Bit NAND Flash Memory
FEATURES
• Voltage Supply
- 2.70V ~ 3.60V
• Organization
- Memory Cell Array : (1G + 32M) x 8bit
- Data Register : (2K + 64) x 8bit
• Automatic Program and Erase
- Page Program : (2K + 64)Byte
- Block Erase : (128K + 4K)Byte
• Page Read Operation
- Page Size : (2K + 64)Byte
- Random Read : 25μs(Max.)
- Serial Access : 25ns(Min.)• Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 200μs(Typ.)
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)
• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
• Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
• Reliable CMOS Floating-Gate Technology
- Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte
ECC)
- Data Retention : 10 Years
• Command Driven Operation
• Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC
• Unique ID for Copyright Protection
• Package :
- K9K8G08U0A-PCB0/PIB0
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
- K9WAG08U1A-PCB0/PIB0
48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)
- K9WAG08U1A-ICB0/IIB0
52 - Pin TLGA (12 x 17 / 1.0 mm pitch)
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