超高密度等离子体：高离子和高活性物质密度，在多种混合气源下在10cm下采用碰撞式同轴等离子体发生器，等离子体浓度大于1012cm-3。超快速稳定启辉：匹配等离子源不需要阻抗调谐器，使用自动调节装置,实现100毫秒内完成稳定启辉。超小体积等离子体发生器：采用KF40快速法兰连接，整体重量1kg；可方便快速加装在LabNano9000系列设备上。超灵活气体切换：等离子气体采用脉冲方式进入反应腔，可任意切换不同气源。原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程。一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤：1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附。2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体。3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的...

LabNanoTM系列是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的灵活精巧、高度集成的原子层沉积系统。为欧盟CE认证产品。它的操作界面直观简单，初学者容易熟练掌握，配备多种材料的标准沉积工艺配方，使用及维护成本低。原子层沉积，简称ALD，又称原子层沉积或原子层外延（atomiclayerepitaxy），是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程。国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究，也要求该技术能够制备越来越高，满足不同性能指标的新材料。该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法，已开发材料主要如下所示：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,Zr...