nm线宽电子束光刻系统-欣源科技（北京）有限公司

　　==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一！日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统！

　　包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询。技术参数：1.小线宽：小于10nm（可实现8nm)2。加速电压：5-50kV3！电子束直径：小于2nm4。套刻精度：20nm(mean2σ)5！拼接精度：20nm(mean2σ)6。加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)7.

　　 公司是一家以其他未分类为主的企业，主打电子束，更多产品详详情请拨打电话：13701223713少鹏 或到访北京市海淀区信息路甲28号D座06A-6331。欣源科技（北京）有限公司期待与您一起合作共赢，在追求低价格高效率，快速度的同时，更注重质量的保证，努力为客户做好每一件产品，做到在成长中求发展，始终保持一种尽善尽美的工作态度，满怀希望和热情的朝着目标努力。

　　型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ)!欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等.

nm线宽电子束光刻系统

　　电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统！

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　　 欣源科技（北京）有限公司主营：电子束光刻EBL等等产品，涉及其他未分类等等行业。 公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。 多年来致力于其他未分类，拥有众多的专业人才，并通过多年以来不断的积累，在业界形成良好的口碑。 售后方面也赢得了用户的一致好评。您的满意是我们一直前进的动力。

　　描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1！采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3。采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0.0012nm4!采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0！01mrad5!应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等！　　LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。