型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm，小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean2σ)，拼接精度20nm(mean2σ).欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统，又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等。
==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统!
正宗CRESTEC电子束光刻
电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一！日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统!
高品质CRESTEC电子束光刻
包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题，敬请电话或邮件垂询!技术参数：1!小线宽：小于10nm（可实现8nm)2!加速电压：5-50kV3！电子束直径：小于2nm4.套刻精度：20nm(mean2σ)5。拼接精度：20nm(mean2σ)6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)7!
描电镜分辨率：小于2nm主要特点：1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3！采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0。0012nm4。采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0！01mrad5！应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等.
如果您看到这段话，说明您对我们电子束光刻EBL感兴趣，不要犹豫，给我们一个机会，也给自己一个机会。 拿起手机来拨打我们的电话。少鹏等待着您的每一次致电：13701223713 让欣源科技（北京）有限公司为您服务， 我们在北京市海淀区信息路甲28号D座06A-6331这里等您。 所谓UV/EB油墨，就是利用紫外光固化或电子束能量固化的油墨。相对于传统干燥型油墨，它具有一些独特的特征：首先，UV/EB油墨固化速度快、生产效率高，一般只需1/10秒即可彻底干燥而固着在基材表面上；第二，在UV油墨印刷后再进行上光加工，印品的光泽度相当高，且表面平整均匀一致；第三，用辐射固化油墨印刷获得的印品具有很强的耐抗性；第四，UV/EB油墨不含有机挥发物 (VOCs)，更环保；第五，能量固化油墨对人体皮肤的刺激性较小，有利于工作人员的健康；最后，固化过程可节省能源。
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