二．简介SHSG-10KV数字式绝缘电阻测试仪又名兆欧表、高压绝缘电阻测试仪、数字式高压绝缘电阻表等，用于绝缘电阻的测试.本仪表具有LCD大屏幕灰白背光显示、数据存储、数据查阅、报警、自动关机等功能。同时还具备测量直流电压交流电压吸收比和极化指数功能!整机美观，量程宽广，分辨率高，操作便捷，携带方便，准确、可靠、性能稳定，抗干扰能力强.而且具有防震、防尘、防潮结构，是电信、电力、气象、机房、油田、机电安装和维修以及利用电力作为工业动力或能源的工业企业部门常用而必不可少的仪表。
确认施加时间的同时泄漏电流没有增加。仪表自动计算极化指数PI和吸收比DAR值，作为判断绝缘性能的判断，极化指数PI和吸收比DAR都表示被测物承受测量电压后一段时间内绝缘电阻的变化情况！极化指数（PI）和吸收比（DAR）区别：对于一般的绝缘体测试，如外壳绝缘、工具手柄等一般在较短时间能测试出随施加电压时间增加漏电流是否增加情况，所以一般用较短时间的试验就能测试出来，短时间测试的绝缘电阻比值DAR称为吸收比（具体测试时间见下面公式），但对于大容量和吸收过程较长的被测品，如变压器、发电机、电缆、电容器等电气设备，有时吸收比值（DAR）尚不足以反映吸收的全过程，可采用较长时间的绝缘电阻比值，即10分钟时的绝缘电阻(R10min)与l分钟时的绝缘电阻(R1min)的比值PI来描述绝缘吸收的全过程，PI称为极化指数，PI和DAR值通过下面的公式计算：注：1：R10Min=电压施加10分钟测量的电阻值2：R1Min=R60Sec=电压施加1分钟测量的电阻值3：R30Sec=电压施加30秒测量的电阻值4：R15Sec=电压施加15秒测量的电阻值5：DAR的计算时间可以选择15秒或30秒。
我司主营其他专用仪器仪表领域的企业，主要以高压绝缘兆欧表为主要产品，公司位于上海市宝山区沪太路8885号，更多产品信息详情请上http://www.shsgdq.com查看。上海晟皋电气科技有限公司愿与社会各界朋友共同合作、共创双赢、共创精彩明天！
铜陵正宗高压绝缘兆欧表
²仪表及手册中的“”安全警告标志，使用者必须严格依照本手册内容进行安全操作.²仪表输出高压,请务必连接好测试线手离开测试线后才按测试键进行测试,否则有触电危险！²测试完成后，先等待一分钟放电完成后再移除测试线，移除测试线时先移除仪表端的测试线再把测试线收好.量程及精度：注：常用电气单位换算1TΩ（Teraohm）=1000GΩ=1012Ω1GΩ（Gigaohm）=1000MΩ=109Ω1MΩ（Megaohm）=1000KΩ=106Ω极化指数（PI）和吸收比（DAR）作用：极化指数（PI）和吸收比（DAR）是检查绝缘体的泄漏电流的时间是否增加的试验。
任何情况下，使用本仪表应特别注意安全！²本仪表根据IEC61010安全规格进行设计、生产、检验。²任何情况下，使用本仪表应特别注意安全.²测量时，移动电话等高频信号发生器请勿在仪表旁使用，以免引起误差!²注意本仪表机身的标贴文字及符号。²使用前应确认仪表及附件完好，仪表、测试线绝缘层无破损、无断线才能使用!²测量过程中，严禁接触导体及正在测量的回路。²确认导线的连接插头已紧密地插入仪表接口内.²请勿在易燃性场所测量，火花可能引起爆炸.
它适用于测量各种绝缘材料的电阻值及变压器、电机、电缆及电器设备等的绝缘电阻。数字绝缘电阻表由中大规模集成电路组成!本表输出功率大，输出电压等级多（有6个电压等级）。额定绝缘测试电压范围250V～10kV,绝缘电阻测量范围0。01MΩ～1000GΩ.直流电压测量范围0～1000V,交流电压测量范围0～750V。感谢您购买了本公司绝缘电阻测试仪，在你初次使用该仪器前，为避免发生可能的触电或人身伤害，请一定：详细阅读并严格遵守本手册所列出的安全规则及注意事项！
²仪表在使用中，机壳或测试线发生断裂而造成金属外露时，请停止使用。²请勿于高温潮湿，有结露的场所及日光直射下长时间放置和存放仪表!²给仪表更换电池时，请确认测试线已移离仪表，仪表处于关机状态!²仪表显示电池电压低符号“”，应及时充电,否则会引地误差。²测量过程中严禁进行充电或者进行数据传输操作.²注意本仪表所规定的测量范围及使用环境。²使用、拆卸、校准、维修本仪表，必须由有授权资格的人员操作.²由于本仪表原因，继续使用会带来危险时，应立即停止使用，并马上封存，由有授权资格的机构处理! 随着微处理器工作电压的下降，模块电源输出电压亦从以前的5V降到了现在的3.3V甚至1.8V，业界预测，电源输出电压还将降到1.0V以下。与此同时，集成电路所需的电流增加，要求电源提供较大的负载输出能力。对于1V/100A的模块电源，有效负载相当于0.01，传统技术难以胜任如此高难度的设计要求。在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、MOSFET的导通电阻及 MOSFET的管芯接线等对效率都有影响。
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