芯片采用QFN封装，尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化!YP163137该射频功放芯片专为北斗导航及通信应用开发，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的输出功率和效率；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性！芯片采用QFN封装，尺寸仅为4mmX4mm,为终端客户节省了布板空间，便于系统小型化集成。YV257208超宽带VCO芯片YV257208,基于lnGaP/GaAsHBT工艺制程；芯片内部集成负阻振荡管、Buffer放大管、恒流源偏置、有源温补电路和滤波器.
我司目前主要产品有：射频及微波功率放大器芯片（RFAmplifier）、增益模块（GainBlock）、射频开关芯片（RFSwitch）、低噪声放大器芯片（LNA）、微波宽带小信号放大器芯片、射频微波及毫米波压控振荡器（VCO）等，主要应用于3G/4G/5G移动通讯、北斗卫星导航、宽带数字传输、WiFi无线覆盖、无线图传、自组网、AI自动驾驶毫米波传感器等射频微波通信及传感系统.GainBlocks-GaAsHBTActiveBias：YG602020、YG802020W、YG401820-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthBroadbandPowerAmplifier：YP3236W、YP2233W、YP3035W、YP24343YP552228-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthSATCOMPowerAmplifier：YP16313YP16303YPM16243YPM163840、YP5135T-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighGain-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessCellular/WiFiPowerAmplifier：YP2233W、YP3035W、YP24343YP24203YP60252YP352830、YP352833-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighLinearity-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessMCM(MultichipsModule)PowerAmplifier：YPM0205443YPM04074540、YPM16243YPM163840-InternalMatching50Ω,EasyforUse-HighPowerHighGainLNA(GaAsPHEMT)：YL001810TMixer(Double-BalancedGaAsSchottkyDiodes)：YX18Switch(SPDT)：YS36YG602020该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，内部集成有源偏置电路，输入输出匹配至50欧姆，易于系统集成应用！
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芯片采用符合工业标准的DFN封装，内部集成ESD保护单元，具有较高的可靠性。YP352833/YP3236W/YP2233W/YP242034/YP352830该射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的增益及线性度；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性.芯片采用QFN封装，尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化.VP552228该宽带射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的输出功率和效率；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性!
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工作电压vcc范围自8V至2V,且在不同的电源电压下，均有输出功率稳定、隔离度高的特点，井具备良好的相位噪声和谐波抑制!芯片采用符合工业标准的DFN封装形式，封装尺寸2mmx2mm.芯片主要性能指标举例YG602020主要性能指标：－工作频段：50~4000MHz－工作电压：3~0V－增益：18dB@2GHz－输出功率：22dBm@0GHz-OIP3:32dBm@0GHz－单电源供电－封装形式：SOT-89－内部集成有源偏置电路－内部集成ESD保护单元应用领域：-WLAN/WiMAX/WiBro-GSM/CDMA/PCS-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-CMMB-RFID-CATV-ISMYG802020W主要性能指标：－工作频段：50~8000MHz－工作电压：0V－工作电流：10~93mA-PldB:21dBm@5GHz-增益：15dB@5GHz-OIP3:+35dBm@5GHz;+35dBm@2~8GHz(5G通讯n78频段）；+34dBm@3~7GHz(5G通讯n78频段）－封装形式：DFN-2X2-6L应用领域：-5Gmobileapplication/m-MIMO-WLAN/WiMAX/WiBro-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-TDD/FDDSystem-GSM/CDMA/PCS-CATV-ISMYP3236W主要性能指标：－工作频段：300~1000MHz－工作电压：3~0V－功率增益：32dB－输出功率：36dBm@0V－OIP3:48dBm@915MHz－效率：46%@PldB－静态电流：380mA－输入回波损耗：-20dB－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－内部集成ESD保护单元－工作温度：-40°C~85°C应用领域：-ISM-CDMA-GSM-RFID-CMMB-TETRA-IOTPA-SignalShieldingDeviceYP2233W主要性能指标：－工作频段：700-2700MHz－工作电压：3-0V－功率增益：26dB@6GHz－输出功率：3SdBm@6GHz,Vcc=5V－静态电流：280mA－输入回波损耗：-15dB－封装形式：QFN-16L4mmx4mm－内部集成ESD保护单元－工作温度：-40°~85°C应用领域：-北斗导航及通信(RDSS)-IEEE8011b/g/n无线局域网-PCS通信系统-4GHzISM无线设备-宽带扩频系统-Repeaters末级功放-IOTPAYP242034主要性能指标：－工作频段：1800~2800MHz－工作电压：3~0V－功率增益：20dB－输出功率：34dBm－EVM:0%@27dBm－静态电流：300mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmx4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域：－4GHzWIFI－物联网－IEEE8011b/g/n/ac无线局域网－无线网卡、无线AP－Wibro3GHzto4GHz－WiMAX5GHzto7GHz－屏蔽器YP352830主要性能指标：－工作频段：1800-3800MHz－工作电压：3-0V－功率增益：29dB@5GHz－输出功率：30dBm@5GHz－EVM:5%@27dBm,4GHz－静态电流：120mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域：－65GHz/5GHz5G移动通讯－4GHzWIFI－物联网－IEEE8011b/g/n/ac无线局域网－无线网卡、无线AP－LTE－Wibro3GHzto4GHz－WiMAX5GHzto7GHz－屏蔽器YP352833主要性能指标:－工作频段：3200~3800MHz－工作电压：3-0V－功率增益：28dB－输出功率：33dBm-ACLR:-37dBc@26dBm,5GHz－静态电流：560mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域-5GHzmMIMO驱动级-通用驱动级-屏蔽器末级.
芯片采用符合工业标准的SOT-89封装，内部集成ESD保护单元，具有较高的可靠性!YG802020W该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，采用级联电路架构，内部集成有源偏置电路，提高电路线性度，实现温度补偿.芯片采用符合工业标准的DFN封装，内部ESD和VSWR保护单元，具有高可靠性!YG401820该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，内部集成有源偏置电路，输入输出匹配至50欧姆，易于系统集成应用。 中芯国际从2000年成立就持续不断地通过或建，或收购，或托管的方式建立起分布于上海、北京、天津、成都、武汉和广州的庞大的生产制造能力。2009年伊始，华虹合并宏力，再投资22亿美金新建12寸厂，将规模扩充1倍。中国半导体代工企业过去的十年所见证的就是资产绝对规模的惊人增长。但，热火朝天的产能扩张随后而来的却是技术落后和难以盈利的冰冷现实。中芯国际从2000年创立以来一直处于大幅亏损状态，平均每年的亏损在数千万到数亿美金之间。而其代表国内最先进技术水平的主流工艺较世界先进水平晚三代。华虹NEC在完成国家的ID身份证项目后，公司深陷缺乏客户和核心技术的困局而无力自拔；而宏力从建立伊始就持续亏损。
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