硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单地以原子层厚度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低。
LabNanoTM系列是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的灵活精巧、高度集成的原子层沉积系统。为欧盟CE认证产品！它的操作界面直观简单，初学者容易熟练掌握，配备多种材料的标准沉积工艺配方，使用及维护成本低.原子层沉积，简称ALD，又称原子层沉积或原子层外延（atomiclayerepitaxy），是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。
微波等离子体原子层沉积价格
可实现高速沉积、对微孔内壁、超高宽深比结构等复杂异型3D结构的沉积.消除CVD效应和前驱体反流对沉积过程的影响！实现在材料物质改性等领域的重要应用.易操作性：操作界面直观简单,操作者很容易熟练掌握！所有参数（前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等）均在计算机操作界面中设定修改，整个沉积过程及状态参数均实时显示.所有薄膜沉积模式及工艺配方均可实现自动存储调用。包含多重安全保护机制，如过压保护及出现异常自动关闭ALD阀门防止前驱体泄漏等!
硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…原子层沉积应用领域由发光薄膜材料，扩大到电子器件、机械、化工、能源材料、光学、医学/生物、纳米技术等领域.国内大部分高校及科研院所均设有专门的光学、物理学、薄膜材料学、微电子、通信等专业，研究方向多集中在上述应用范围！随着研究热度的增长，需要不断开发新的原子层沉积技术应用领域！高度集成和灵活性：该系列适用于固态、液态、气态前驱体源.
原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜！与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程.国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究，也要求该技术能够制备越来越高，满足不同性能指标的新材料。该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法，已开发材料主要如下所示：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx!
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