超高密度等离子体：高离子和高活性物质密度，在多种混合气源下在10cm下采用碰撞式同轴等离子体发生器，等离子体浓度大于1012cm-超快速稳定启辉：匹配等离子源不需要阻抗调谐器，使用自动调节装置,实现100毫秒内完成稳定启辉！超小体积等离子体发生器：采用KF40快速法兰连接，整体重量1kg；可方便快速加装在LabNano9000系列设备上。超灵活气体切换：等离子气体采用脉冲方式进入反应腔，可任意切换不同气源!
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原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术!理想的ALD生长过程是通过选择交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜!与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程.一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤：脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附。惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体.
脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物.相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单以原子层厚度精度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正，•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低独立开发设计制造一款新型原子层沉积设备，该设备加入微波等离子体，是对原子层沉积技术的扩展!
高性能ALD设备
英作纳米科技（北京）有限公司是一家其他行业专用设备企业，关于ALD，公司具有多年的从业经验，可以给客户提供多种解决方案， 公司秉承着诚信互惠的经营理念，主营产品微波等离子体增强原子层沉积系统获得客户一致好评，如果您想了解微波等离子体增强原子层沉积系统的更多细节，请与我们取得联系，英作纳米科技（北京）有限公司期待为您提供服务。
微波等离子体具有其他等离子体难以比拟的优势和特点!并且，本设备设计的微波等离子体系统，引入自放电装置，起辉快，反应时间短，缩短了沉积周期，提高了生产效率.开发设计微波等离子体原子层沉积设备，微波等离子体原子层沉积设备主要由微波等离子体发生装置、真空反应腔室、真空系统、前驱体运输系统、控制系统等几部分组成.引入自放电装置，从而保证微波发生器在1-3s内快速响应，微波等离子体发生器起辉稳定!微波等离子体产生后通过一个喇叭形状的铝制扩散腔，扩散后会更加均匀的分布在腔体内!
通过微波等离子体的引入，产生大量的活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了原子层沉积技术对前驱体源的选择范围和应用要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积!另外，等离子体的引入可以进一步的去除薄膜中的杂质，可以获得更低的电阻率和更高的薄膜致密度等.此外，等离子体还可以对反应腔室进行清洗以及对基片进行表面活化处理等!微波等离子体无电极、运行气压宽、低能耗、高效率和低成本等优点，其等离子体发生室和处理室可分合，工艺灵活.
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