LabNanoTM系列是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的灵活精巧、高度集成的原子层沉积系统。为欧盟CE认证产品!它的操作界面直观简单，初学者容易熟练掌握，配备多种材料的标准沉积工艺配方，使用及维护成本低。原子层沉积，简称ALD，又称原子层沉积或原子层外延（atomiclayerepitaxy），是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器!
可实现高速沉积、对微孔内壁、超高宽深比结构等复杂异型3D结构的沉积。消除CVD效应和前驱体反流对沉积过程的影响。实现在材料物质改性等领域的重要应用!易操作性：操作界面直观简单,操作者很容易熟练掌握。所有参数（前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等）均在计算机操作界面中设定修改，整个沉积过程及状态参数均实时显示！所有薄膜沉积模式及工艺配方均可实现自动存储调用.包含多重安全保护机制，如过压保护及出现异常自动关闭ALD阀门防止前驱体泄漏等。
高性能原子层沉积系统
硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…原子层沉积应用领域由发光薄膜材料，扩大到电子器件、机械、化工、能源材料、光学、医学/生物、纳米技术等领域!国内大部分高校及科研院所均设有专门的光学、物理学、薄膜材料学、微电子、通信等专业，研究方向多集中在上述应用范围.随着研究热度的增长，需要不断开发新的原子层沉积技术应用领域！高度集成和灵活性：该系列适用于固态、液态、气态前驱体源!
原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜.与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程。国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究，也要求该技术能够制备越来越高，满足不同性能指标的新材料.该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法，已开发材料主要如下所示：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx！
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英作纳米科技（北京）有限公司在其他行业专用设备这个行业中，是一家屈指可数的好公司。其主营的产品——热式原子层沉积系统，更是在业界中受到广大客户的喜爱。
提供2路到6路前驱体源管路供用户选择.兼容臭氧发生器、微波等离子体源、气氛手套箱、大尺寸多片样品沉积附件等多种选配件!多种标准沉积工艺配方：我们为客户提供多种材料的标准沉积工艺配方，包括在不同条件、不同沉积速率下的工艺配方以满足用户的需求。厚度可控与多种沉积模式：用户可通过设定循环次数和时间来实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积.包括三种沉积模式：连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）。
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