欢迎访问北京市北广精仪仪器设备有限公司网站

安徽薄膜电压击穿试验仪测试视频_非金属材料试验机相关-北京市北广精仪仪器设备有限公司

  • 产品名称:电压击穿试验仪
  • 产品价格:40000.00
  • 产品数量:1000
  • 保质/修期:1
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2021-07-10
产品说明

  电流可采集到mA级并且实现实时采集。可选择出具GJ一级计量单位校准证书或出具客户指定计量单位的证书电源:220v±10%的单相交流电压和50Hz±1%的频率电流电压稳定度:外界电压波动10%(可选配我司配到电压保护器额定波动电压30%)结果调取:试验结果保存调取、人员选定调去、试验结果可根据客户要求操作整理、支持5次以上彩线对比、自动整取添加试验数据!升压方式与升压速度采用连续均匀升压方式,电压由零升至击穿电压,时间在(10~20)》之间.

  04A。工频电源应为50H的正弦波,试验变压器输出电压波峰系数为31~51!保护电阻值以电压每伏(0!2~~0。5)n计算,即(0!2~0。5)n/V!调压器应能均匀地阈节电压,其容量与试验变压器的容量相同!过电流继电器应有足够的灵敏度,保证试样击穿时在0!1s内切断电源,动作电渡值应选择适当值,避免发生击穿后不动作或未击穿时误动作!升压装置:采用先近的无触点原件匀速升压淘汰前款机械调压耐压时间:0-7H保持相对电压(软件设定)耐压式样:固体;液体.

安徽薄膜电压击穿试验仪测试视频


珠海自动电压击穿试验仪公司_冲击试验机相关-北京市北广精仪仪器设备有限公司

佛山自动电压击穿试验仪公司_冲击试验机相关-北京市北广精仪仪器设备有限公司

  冷却速度(coolingrate):在规定温度范围内,每隔10分钟进行一次询问,通过控制冷却液的流量,使该规定冷却速度的个别差不超过规定允许差而获得的一定冷却速度.冷却速度通常用克尔pin/时间表示.该压力必须保持在成型循环的N,期定压力的10%以内!热板必须具备以下能力。(a)至少能加热到240℃(b)能够以表1所示的速度冷却.金,正面的任点的汤起点川的温度,加n不能超过+2k,冷却不能超过士4k的加热及冷却系统嵌入模具时,必须了解该系统的条件。

  工程顶用伏秒特性来标明绝缘在冲击电压作用下的击穿特性!伏秒特性是指在冲击电压波形一定的前提下,绝缘的冲击放电电压与相应的放电时间的联络曲线.伏秒特性由试验判定,其方法为:坚持冲击电压波形不变,逐级升高电压!电压较低时,击穿发生在波尾;电压甚高时,放电时间减至很小,击穿可发生在波头!在波尾击穿时,以冲击电压的幅值作为纵坐标,放电时间作为横坐标。在波头击穿时,还以放电时间为横坐标,但以击穿时的电压为纵坐标。

  电压击穿试验仪主要适用于固体绝缘材料,液体绝缘材料的击穿强度!同时测得工频交流电压与直流电压的击穿强度和耐压强度的测试可设定梯度耐压的试验使梯度时间自由调整。本仪器由pc控制,通过我公司自主研发的全新智能数字精密嵌入式西门子ZY单元cpu系统与上位机软件控制两部分来完成,通过pcUSB串口获得数据传送数据Z高可高达3M/S是RS232串口无法比拟的让上位机与下位机通讯无延迟使升压速率真正做到匀速、准确,并能够准确测出漏电电流的数据,电流实时采集!

  在电压较高时结束放电所需时间较短,在电压较低时结束放电所需时间较长电气强度检验又称耐压检验!简略点说,任何电气设备都有一个绝缘等级,不一样额定电压的绝缘等级不一样.当逾越一定电压等级后,设备的绝缘就会被击穿。在备考压模的情况下预热时间(preheatingtime):在保持接触压力的同时将模具内的材料加热到成型温度时将与成型品取出温度的差除以将模具冷却到成型品取出温度所需的时间计算出的冷却速度。平均冷却li以近宿克尔pin/分表示!


常州介电耐电压击穿试验仪15万伏_强度试验机相关-北京市北广精仪仪器设备有限公司

  电极压力为电极自重,并使纸面压平整!击穿的判断试样沿施加电压方向及位置有贯穿小孔、烧焦等痕迹为击穿!如痕迹不明显,可在原位置上用重复施加试验电压来判断!在设备无异常时取第一次击穿电压值。试验次数做九次有效击穿试验!击穿出现在电极边缘处,试验无效,不计入有效击穿次数,试验结果击穿电压单位为伏,对于两层纸组成的试样,纸的击穿电压应为试样击穿电压的二分之一倍,以所获得的试验数值的中间值作为试验结果,并报告醉小值。



供应商信息
北京市北广精仪仪器设备有限公司
万能试验机
公司地址:北京市海淀区上地科技园上地十街1号01066024083
企业信息
联系人:李丛林
手机:18911397564
注册时间: 2012-06-12
 
网站首页 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | 网站留言 | RSS订阅
Processed in 6.652 second(s), 184 queries, Memory 5.76 M